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1、納米材料的定義與分類。
最初納米材料是指納米顆粒和由它們構(gòu)成的納米薄膜和固體。
現(xiàn)在廣義: 納米材料是指在三維空間中至少有一維處在納米尺度范圍,或由他們作為基本單元構(gòu)成的材料。
如果按維數(shù),納米材料可分為三大類:
零維:指在空間三維尺度均在納米尺度,如:納米顆粒,原子團(tuán)簇等。
一維:指在空間有兩處處于納米尺度,如:納米絲,納米棒,納米管等。
二維:指在三維空間中有一維處在納米尺度,如:超薄膜,多層膜等。
因?yàn)檫@些單元最具有量子的性質(zhì),所以對(duì)零維,一維,二維的基本單元,分別又具有量子點(diǎn),量子線和量子阱之稱。
2、什么是原子團(tuán)簇及原子團(tuán)簇有哪些分類?
原子團(tuán)簇:指幾個(gè)至幾百個(gè)原子的聚集體(粒徑一般等于或者小于1nm)。
原子團(tuán)簇的分類:
a.一元原子團(tuán)簇:即同一種原子形成的團(tuán)簇,如金屬團(tuán)簇,碳簇等。
b.二元原子團(tuán)簇:即有兩種原子構(gòu)成的團(tuán)簇,例如ZnnPm,AgnSm等。
c.多元原子團(tuán)簇:有多種原子構(gòu)成的團(tuán)簇,例如 Vn(C6H6)m等。
d.原子簇化合物:是原子團(tuán)簇與其它分子以配位鍵形成的化合物。(Ag)n(NH3)m。
3、通過(guò)Raman 光譜中任何鑒別單壁和多臂碳納米管? 如何計(jì)算單壁碳納米管直徑?
利用微束拉曼光譜儀能有效地觀察到單臂納米管特有的譜線,這是鑒定單臂納米管非常靈敏的方法。
100-400cm-1范圍內(nèi)出現(xiàn)單臂納米管的特征峰,單臂納米管特有的環(huán)呼吸振動(dòng)模式;1609cm-1,這是定向多壁納米管的拉曼特征峰。
單臂管的直徑d與特征拉曼峰的波數(shù)成反比,即d = 224/w
d:?jiǎn)伪诠艿闹睆?,nm;
w:為特征拉曼峰的波數(shù)cm-1
4、碳納米管的生長(zhǎng)機(jī)理。
碳納米管的生長(zhǎng)機(jī)理包括V-L-S機(jī)理、表面(六元環(huán))生長(zhǎng)機(jī)理。
(1)V-L-S機(jī)理:金屬和碳原子形成液滴合金,當(dāng)碳原子在液滴中達(dá)到飽和后開(kāi)始析出來(lái)形成納米碳管。根據(jù)催化劑在反應(yīng)過(guò)程中的位置將其分為頂端生長(zhǎng)機(jī)理、根部生長(zhǎng)機(jī)理。
①頂端生長(zhǎng)機(jī)理:在碳納米管頂部,催化劑微粒沒(méi)有被碳覆蓋的的部分,吸附并催化裂解碳?xì)浞肿佣a(chǎn)生碳原子,碳原子在催化劑表面擴(kuò)散或穿過(guò)催化劑進(jìn)入碳納米管與催化劑接觸的開(kāi)口處,實(shí)現(xiàn)碳納米管的生長(zhǎng),在碳納米管的生長(zhǎng)過(guò)程中,催化劑始終在碳納米管的頂端,隨著碳納米管的生長(zhǎng)而遷移;
②根部生長(zhǎng)機(jī)理:碳原子從碳管的底部擴(kuò)散進(jìn)入石墨層網(wǎng)絡(luò),擠壓而形成碳納米管,底部生長(zhǎng)機(jī)理最主要的特征是:碳管一末端與催化劑微粒相連,另一端是不含有金屬微粒的封閉端;
(2)表面(六元環(huán))生長(zhǎng)機(jī)理:碳原子直接在催化劑的表面生長(zhǎng)形成碳管,不形成合金。
表面擴(kuò)散機(jī)理:用苯環(huán)坐原料來(lái)生長(zhǎng)碳納米管,如果苯環(huán)進(jìn)入催化劑內(nèi)部,會(huì)被分解而產(chǎn)生碳?xì)浠衔锖蜌錃馔瑫r(shí)副產(chǎn)物的檢測(cè)結(jié)果為只有氫氣而沒(méi)有碳?xì)浠?。說(shuō)明苯環(huán)沒(méi)有進(jìn)入催化劑液滴內(nèi)部,而只是在催化劑表面脫氫生長(zhǎng),也符合“帽式”生長(zhǎng)機(jī)理。
5、氣相和溶液法生長(zhǎng)納米線的生長(zhǎng)機(jī)理。
(1)氣相法反應(yīng)機(jī)理包括:V-L-S機(jī)理、V-S機(jī)理、碳納米管模板法、金屬原位生長(zhǎng)。 ①V-L-S機(jī)理:反應(yīng)物在高溫下蒸發(fā),在溫度降低時(shí)與催化劑形成低共熔液滴,小液滴相互聚合形成大液滴,并且共熔體液滴在端部不斷吸收粒子和小的液滴,最后由于微粒的過(guò)飽和而凝固形成納米線。
②V-S機(jī)理:首先沉底經(jīng)過(guò)處理,在其表面形成許多納米尺度的凹坑蝕丘,這些凹坑蝕丘為納米絲提供了成核位置,并且它的尺寸限定了納米絲的臨界成核直徑,從而使生長(zhǎng)的絲為納米級(jí)。
③碳納米管模板法:采用碳納米管作為模板,在一定溫度和氣氛下,與氧化物反應(yīng),碳納米管一方面提供碳源,同時(shí)消耗自身;另一方面提供了納米線生長(zhǎng)的場(chǎng)所,同時(shí)也限制了生成物的生長(zhǎng)方向。
④金屬原位生長(zhǎng):
(2)溶液法反應(yīng)機(jī)理包括溶液液相固相、選擇性吸附。
①S-L-S機(jī)理:SLS 法和 VLS 法很相似,二者的主要差別在于 SLS 法納米線成長(zhǎng)的 液態(tài)團(tuán)簇來(lái)源于溶液相,而 VLS 法則來(lái)自蒸氣相。
②選擇性吸附:選擇性吸附配位劑或表面活性劑,并在平行于生長(zhǎng)方向的晶面生長(zhǎng)。
6、納米顆粒紅外吸收寬化和藍(lán)移的原因是什么?
紅外吸收帶的寬化原因:
納米氮化硅、SiC、及Al2O3粉對(duì)紅外有一個(gè)寬頻帶強(qiáng)吸收譜,這是由于納米粒子大的比表面導(dǎo)致了平均配位數(shù)下降,不飽和鍵和懸鍵增多,與常規(guī)大塊材料不同,沒(méi)有一個(gè)單一的,擇優(yōu)的鍵振動(dòng)模,而存在一個(gè)較寬的鍵振動(dòng)模的分布,在紅外光場(chǎng)作用下,它們對(duì)紅外吸收的頻率也就存在一個(gè)較寬的分布。這就導(dǎo)致了納米粒子紅外吸收帶的寬化。 藍(lán)移原因:
與大塊材料相比,納米微粒的吸收帶普遍存在“藍(lán)移”現(xiàn)象,即吸收帶移向短波長(zhǎng)方向。 表面效應(yīng):由于納米微粒尺寸小,大的表面張力使晶格畸變,晶格常數(shù)變小。 對(duì)納米氧化物和氮化物小粒子研究表明:第一近鄰和第二近鄰的距離變短。鍵長(zhǎng)的縮短導(dǎo)致納米微粒的鍵本征振動(dòng)頻率增大,結(jié)果使紅外光吸收帶移向了高波數(shù)。(化學(xué)鍵的振動(dòng)) 量子尺寸效應(yīng):由于顆粒尺寸下降能隙變寬,這就導(dǎo)致光吸收帶移向短波方向。Ball等對(duì)這種藍(lán)移現(xiàn)象給出了普適性的解釋:已被電子占據(jù)分子軌道能級(jí)與未被占據(jù)分子軌道能級(jí)之間的寬度(能隙)隨顆粒直徑減小而增大,這是產(chǎn)生藍(lán)移的根本原因。這種解釋對(duì)半導(dǎo)體和絕緣體都適應(yīng)。(電子躍遷)
7、光催化的基本原理以及提高光催化活性的途徑有哪些?
光催化的基本原理:
當(dāng)半導(dǎo)體納米粒子受到大于禁帶寬度能量的光子照射后,電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶,產(chǎn)生電子空穴時(shí),電子具有還原性,空穴具有氧化性??昭ㄅc半導(dǎo)體納米粒子表面OH―反應(yīng)生成氧化性很高的·OH自由基,這種活潑的·OH自由基可把許多難降解的有機(jī)物氧化為CO2和H2O等無(wú)機(jī)物。
提高光催化活性的途徑:半導(dǎo)體的光催化活性主要取決于:導(dǎo)帶與價(jià)帶的氧化―還原電位。價(jià)帶的氧化―還原電位越正,導(dǎo)帶的氧化―還原電位越負(fù),則光生電子和空穴的還原及氧化能力越強(qiáng),光催化的效率就越高。
(1)減小半導(dǎo)體光催化劑的顆粒尺寸,可以提高其催化效率。(a.當(dāng)半導(dǎo)體粒子d<某一臨界值,量子尺寸效應(yīng)變的顯著,這時(shí)導(dǎo)帶與價(jià)帶變成分離能級(jí),能隙變寬,價(jià)帶電位變的更正,導(dǎo)帶電位變的更負(fù),這就增加了光生空穴和電子的氧化還原能力。b.光生載流子可通過(guò)簡(jiǎn)單的擴(kuò)散,從粒子內(nèi)部遷移到粒子的表面,而與電子給體或受體發(fā)生氧化還原反應(yīng),電子從內(nèi)部擴(kuò)散到表面的時(shí)間越小,光電電荷分離效果就越高,電子和空穴的復(fù)合概率就越小,從而導(dǎo)致光催化活性的提高。c.納米半導(dǎo)體的尺寸越小,處于表面的原子越多,比表面積越大,大大增強(qiáng)了半導(dǎo)體催化吸附的能力從而提高了光催化降解有機(jī)物的能力。)
(2)通過(guò)對(duì)納米半導(dǎo)體材料進(jìn)行敏化,攙雜,表面修飾以及表面沉淀金屬或金屬氧化物等方法,顯著改善光吸收及光催化性能
8、什么是庫(kù)侖堵塞效應(yīng)以及觀察到的條件?
庫(kù)侖堵塞效應(yīng):由于庫(kù)侖堵塞能的存在對(duì)一個(gè)小體系的充放電過(guò)程,電子不能集體傳輸,而是一個(gè)一個(gè)單電子傳輸,這種現(xiàn)象叫做庫(kù)侖堵塞效應(yīng)。
庫(kù)侖堵塞是在極低溫度下觀察到的.
觀察到的條件是:(e2/2C)> kBT
有人曾統(tǒng)計(jì)如果量子點(diǎn)的尺寸為nm,可在室溫下觀察到上述效應(yīng)。量子點(diǎn)是十幾nm。上述效應(yīng)必須在液氮溫度下。
9、半導(dǎo)體納米顆粒的量子限域效應(yīng)和介電限域效應(yīng)對(duì)其吸收邊、發(fā)光峰的影響有哪些?
式中:E(r):納米微粒的吸收帶隙,Eg(r=∞) 為體相的帶隙, r為粒子半徑
μ=[me-1+mh-1]-1為粒子的折合質(zhì)量,其中me和mh分別為電子和空穴的有效質(zhì)量
第二項(xiàng)為量子限域能(藍(lán)移),第三項(xiàng)為電子-空穴的庫(kù)侖作用能(紅移),表明介電限域效應(yīng),
第四項(xiàng)為有效里德伯能
由上式可以看出,隨著粒子半徑的減少,量子限域效應(yīng)為主,其吸收光譜發(fā)生藍(lán)移;介電限域效應(yīng)導(dǎo)致介電常數(shù)ε增加引起吸收邊藍(lán)移,其吸收光譜發(fā)生紅移。
10、納米材料中的聲子限域和壓應(yīng)力如何影響其Raman 光譜?
聲子限域效應(yīng)加強(qiáng),使Raman峰向低波方向移動(dòng),發(fā)生藍(lán)移,表面包覆或鑲嵌某物質(zhì)時(shí),Raman要考慮正壓力的影響,正壓力增加,Raman光譜向高波數(shù)方向移動(dòng),發(fā)生紅移。
11、制備納米材料的氣相法和濕化學(xué)法。
(1)高溫氣相法:指直接利用氣體或者通過(guò)各種手段將物質(zhì)變成氣體,在載氣的作用下通過(guò)傳輸在反應(yīng)區(qū)冷凝,進(jìn)一步發(fā)生物理化學(xué)反應(yīng),最后在冷卻過(guò)程中凝聚長(zhǎng)大形成納米顆粒的方法。
高溫氣相法根據(jù)反應(yīng)原理或裝置特點(diǎn)分類:
①若反應(yīng)中沒(méi)有化學(xué)反應(yīng):熱蒸發(fā)法
②若反應(yīng)中有化學(xué)反應(yīng):化學(xué)氣相沉積
③若反應(yīng)中使用金屬氧化物:金屬有機(jī)化學(xué)沉積
④若反應(yīng)中有激光激發(fā):激光燒蝕法
⑤若反應(yīng)能夠控制檢測(cè)生長(zhǎng)速度:分子束外延技術(shù)
(2)濕化學(xué)法:有液相參加,通過(guò)化學(xué)反應(yīng)來(lái)制備材料的方法。
濕化學(xué)法根據(jù)反應(yīng)原理或裝置特點(diǎn)分類:
①若為敞開(kāi)體系:包括一般性溶液反應(yīng)
②若為密閉體系:水熱、溶劑熱
③有機(jī)溶劑參與反應(yīng):有機(jī)溶劑回流
④膠體化學(xué)法:在有機(jī)相中反應(yīng),反應(yīng)能溶于有機(jī)相形成膠體溶液。
12、什么是納米結(jié)構(gòu),并舉例說(shuō)明它們是如何分類的,自組裝納米結(jié)構(gòu)形成的條件是什么?
納米結(jié)構(gòu):是以納米尺度的物質(zhì)單元為基礎(chǔ)。按一定規(guī)律構(gòu)筑和營(yíng)造一種新的體系。它包括一維、二維、三維體系。
分類: 關(guān)于納米結(jié)構(gòu)組裝體系的劃分至今沒(méi)有一個(gè)成熟的看法。根據(jù)納米結(jié)構(gòu)體系構(gòu)筑過(guò)程的驅(qū)動(dòng)力是靠外因還是靠?jī)?nèi)因來(lái)劃分,大致可分為兩大類。
(1)人工納米結(jié)構(gòu)組裝體系:按照人類的意志,利用物理和化學(xué)的方法人為的將納米尺度的物質(zhì)單元組裝。排列構(gòu)成一維、二維和三維的納米結(jié)構(gòu)體系。包括納米有序陣列和介孔復(fù)合體系。
(2)納米結(jié)構(gòu)自組裝體系和分子自組裝體系:是指通過(guò)弱的和較小方向性的非共價(jià)鍵,如氫鍵、范德瓦耳斯鍵、配位鍵和弱的離子鍵協(xié)同作用把原子、離子、分子或納米結(jié)構(gòu)單元連接在一起構(gòu)筑成一個(gè)納米結(jié)構(gòu)或納米結(jié)構(gòu)的花樣。
納米結(jié)構(gòu)的自組裝體系的形成有兩個(gè)重要的條件:
(1) 有足夠數(shù)量非共價(jià)鍵或氫鍵存在(因?yàn)闅滏I和范德瓦耳斯鍵等非共價(jià)鍵很弱(0.1—5kcal /mol)只有足夠量的弱鍵存在,才能通過(guò)協(xié)同作用構(gòu)筑成穩(wěn)定的納米結(jié)構(gòu)體系。
(2) 是自組裝體系能量較低,否則很難形成穩(wěn)定的自組裝體系。
13、簡(jiǎn)單討論納米顆粒的組裝方法
納米顆粒的組裝的基本思路是溶解、揮發(fā)、組裝。
溶解:配制成膠體溶液
揮發(fā):自然揮發(fā)或者加入使溶質(zhì)溶解度降低的溶劑,使其從溶液中沉淀出來(lái)。
組裝:人工組裝或自組裝
納米團(tuán)簇的超分子化學(xué)組裝方法可分為兩類:
①DNA指導(dǎo):
②氣泡作模板:
③半導(dǎo)體納米粒子組裝:
④金屬膠體組裝:
⑤膠態(tài)晶體法:是利用膠體溶液的自組裝特性使納米團(tuán)簇組裝成膠態(tài)晶體,得到二維或三維的超晶格;
⑥模板法:是利用納米團(tuán)簇與組裝模板間的識(shí)別作用來(lái)帶動(dòng)團(tuán)簇的組裝,由于選定的組裝模板與納米顆粒之間的識(shí)別作用,而使得模板對(duì)組裝過(guò)程具有指導(dǎo)作用,組裝過(guò)程更完善;
14、一維納米結(jié)構(gòu)的組裝方法有哪些,例舉說(shuō)明2種納米器件的結(jié)構(gòu)。
一維納米結(jié)構(gòu)的組裝:
(1)模板法組裝納米結(jié)構(gòu):將流體組裝技術(shù)與表面模板技術(shù)結(jié)合在一起成功地將一維納米結(jié)構(gòu)組裝成平行陣列。
(2) 技術(shù)表面壓力組裝納米棒陣列:通過(guò)表面張力的遞增,使原本無(wú)序排列的各向同性的納米棒首先排列成二維向列性排布,繼而排列成二維近晶性的有序結(jié)構(gòu),多層這種二維結(jié)構(gòu)疊加在一起,最終得到三維排列的有序納米棒的陣列,3D-向列。
(3)電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)組裝:采用電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)組裝的方法將納米線的組裝與其半導(dǎo)體性質(zhì)的測(cè)量聯(lián)系起來(lái)。
(4)催化劑的圖案化;通過(guò)對(duì)催化劑模板化,在有催化劑的地方反應(yīng),沒(méi)有催化劑的地方不反應(yīng),從而制備一定規(guī)則的納米結(jié)構(gòu)材料。
(5)其他方法:eg加熱ZnO,In2O3和石墨粉末的混合物在碳襯底或Si襯底上生長(zhǎng)分級(jí)納米結(jié)構(gòu);以ZnO,SnO2和石墨粉的混合物在多晶Al2O3襯底上分別得到了ZnO螺旋槳狀納米結(jié)構(gòu)。
2種納米器件的結(jié)構(gòu):ZnO納米線直流發(fā)電機(jī);納米管收音機(jī);納米尺度太陽(yáng)能電池。
15、“尺寸選擇沉淀法”制備單分散銀納米顆粒的基本原理是什么?
十二烷硫醇包覆的Ag粒子在庚烷中將其分散,這些粒子尺寸分散性比較大,為了降低這種多分散性,需要采用尺寸選擇沉淀法。
具體做法是:
① 包覆型 Ag粒子在己烷中具有高的可溶性,而在吡啶中的可溶性差。先將包覆型 Ag粒子溶解在己烷中。
② 如果將吡啶緩慢加到含有包覆型 Ag粒子的己烷中,則當(dāng)吡啶達(dá)到某一給定體積時(shí),溶液將出現(xiàn)渾濁,并有沉淀出現(xiàn),這相應(yīng)于最大粒子的凝聚。這些粒子之間的范得瓦耳斯力比較大,溶液中加吡啶,Ag粒子聚集沉淀。
③ 經(jīng)離心沉淀分離,將大粒子收集起來(lái),小粒子留在懸浮液中。(離心的轉(zhuǎn)速要適當(dāng))
④最大粒子凝聚體是可逆的。如將這些沉淀物放入己烷中再分散,即可形成均質(zhì)的清澈透明溶液。將上述溶液滴一滴到TEM的碳柵極上,可得非常完整的組織。(如果將碳柵極浸入溶液3小時(shí),則形成六角密堆積網(wǎng)絡(luò)有序結(jié)構(gòu),這些聚集體的平均尺寸可以從0.03μm2到0.55 μm2。經(jīng)高倍放大后,可看到,納米粒子有兩種不同的對(duì)稱性排列。
16、目前人們已經(jīng)制備了哪些納米結(jié)構(gòu)單元、復(fù)雜的納米結(jié)構(gòu)和納米器件。哪些納米結(jié)構(gòu)應(yīng)該具有增強(qiáng)物理和化學(xué)性能。
納米結(jié)構(gòu)單元:0維: 團(tuán)簇、納米顆粒、八面體、三角形、多面體等;一維: 納米線、納米棒、納米帶、納米管和納米錐等;二維: 納米片等。
復(fù)雜的納米結(jié)構(gòu):嵌段共聚物有序的自組裝成為超分子納米結(jié)構(gòu);多層膜;自組裝形成管狀、球狀、層狀和蘑菇狀的結(jié)構(gòu)
納米器件:ZnO納米線直流發(fā)電機(jī)、光子晶體、納米棒的邏輯敏電路、納米管收音機(jī)、納米線染料敏化太陽(yáng)能電池。
17、單電子晶體管的原理是什么?
晶體管:是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能。
單電子晶體管:用一個(gè)或者少量電子就能記錄信號(hào)的晶體管。
原理:?jiǎn)坞娮泳w管是依據(jù)庫(kù)倫堵塞效應(yīng)和單電子隧道效應(yīng)的基本原理設(shè)計(jì)和制造的一種新型的納米結(jié)構(gòu)器件,在兩個(gè)電極中間的絕緣層的中間再做一個(gè)電極,使之帶半個(gè)電荷,兩邊的電極就會(huì)感應(yīng)半個(gè)符號(hào)相反的電荷,因此可以通過(guò)電極Ⅱ上電壓的變化來(lái)控制隧穿效應(yīng)的發(fā)生。